氮化铝具有高热导率、良好的电绝缘性、低介电常数、无毒等性能，应用前景十分广阔，特别是随着大功率和超大规模集成电路的发展，集成电路和基片间散热的重要性也越来越明显。因此，基片必须要具有高的导热率和电阻率。

为满足这一要求，国内外研究学者开发出了一系列高性能的陶瓷基片材料，其中主要包括：Al₂O₃、BeO、AlN、BN、Si₃N₄、SiC，其中氮化铝是综合性能最优良的新型先进陶瓷材料，被认为是新一代高集成度半导体基片和电子器件的理想封装材料。

烧结过程是氮化铝陶瓷制备的一个重要阶段，直接影响陶瓷的显微结构如晶粒尺寸与分布、气孔率和晶界体积分数等。因此烧结技术成为制备高质量氮化铝陶瓷的关键技术。氮化铝陶瓷常用的烧结技术有无压烧结、热压烧结、放电等离子烧结、微波烧结等。

无压烧结

无压烧结是陶瓷烧结中最简单也是最常见的一种烧结方法,一般的烧结温度在 1600-2000C左右，当烧结助剂 Y2O3; 添加之后,粉体会出现液相烧结,烧结温度一般会下降100-200C，而1800C是最常见的烧结温度。无压烧结对设备的要求不是很高，相对来说比较经济，但通常所需的烧结温度较高 (一般在1800-1850C左右)，烧结速率偏低，烧结体的相对密度也偏低。

热压烧结是对装入模具的粉体同时加热加压，使粉料处于热塑性状态，从而产生两种特殊的传质过程，即晶界滑移和挤压蠕变传质。这两种传质过程在普通烧结过程中基本是不存在的，有助于颗粒的接触扩散和流动传质过程的进行，从而降低烧结温度和气孔率。

放电等离子烧结

放电等离子烧结(SPS)利用脉冲能、放电脉冲压力和焦耳热产生的瞬间高温场来实现烧结过程。SPS 升温速度快、烧结时间短、能在较低的温度下烧结通过控制烧结组分与工艺能实现温度梯度场，可用于烧结梯度材料及大型工件等复杂材料。放电等离子烧结体内每个颗粒均匀的自身发热使颗粒表面活化，因而具有很高的热导率，可在短时间内使烧结体致密化。

微波烧结

微波烧结是通过物质吸收微波的能量而进行自身加热，其加热过程在坯体整个体积内同时进行，升温迅速、温场均匀。此外，微波烧结本身也是一种活化烧结的过程，因此整个加热烧结的时间特别是高温反应期大大缩短。这些特点有利于提高致密化速度并可有效抑制晶粒生长，从而获得常规烧结方法无法实现的独特的性能和结构，因此具有良好的发展前景。

微波烧结是一种新型、高效的烧结技术，具有传统烧结技术无可比拟的优越性。不添加任何烧结助剂的微波烧结法被认为是一条获得AlN透明陶瓷非常有前途的低成本化技术途径，但是受微波烧结设备的限制，通常很难获得较低的烧结温度，因此，有必要开展微波低温烧结工艺制备AlN透明陶瓷的研究。

氮化铝陶瓷的烧结十分复杂，AlN属于共价键化合物，熔点高，原子自扩散系数小，因此，纯AlN陶瓷很难烧结致密化，难以获得高的热导率和良好的机械强度。因而，AlN陶瓷烧结需要保护气氛以及添加少量的烧结助剂，目前采用最多的仍为添加烧结助剂的氮气保护下的常压烧结。